杨祖培教授
一种具有高击穿场强的BCZT基储能陶瓷材料及其制备方法
发布时间： 2025/12/27
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专利范围：
国内
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学校署名：
0
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申请专利人：
陕西师范大学
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专利类型：
国内发明
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专利状态：
专利授权
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发明人数：
4
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是否职务专利：
否
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申请日期：
2023/10/16
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授权日期：
2025/10/17
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第一作者：
杨祖培